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耳機(jī)插座按其種類不同，受靜電破壞的程度也不一樣，更低的100V的靜電壓也會對其造成破壞。近年來隨著電子元器件發(fā)展趨于集成化，因此要求相應(yīng)的靜電電壓也在不斷降低。
人體所感應(yīng)的靜電電壓一般在2-4KV以上，通常是由于人體的輕微動作或與絕緣物的磨擦而引起的。也就是說，倘若我們?nèi)粘Ｉ钪兴鶐У撵o電電位與IC接觸，那么幾乎所有的IC都將被破壞，這種危險存在于任何沒有采取靜電防護(hù)措施的工作環(huán)境中。靜電對IC的破壞不僅體現(xiàn)在電子元器件的制作工序當(dāng)中，而且在IC的組裝、運(yùn)輸?shù)冗^程中都會對IC產(chǎn)生破壞。
信號源耦合到被測電路上的信號幅度在匹配和非匹配狀態(tài)下是不同的，耳機(jī)插座的輸出幅度一般要么是空載輸出的幅度，要么是匹配輸出的幅度，這可通過儀器使用說明或通過實(shí)測來確定。如果被測電路的輸入阻抗不是比信號源輸出阻抗大得多，也不與信號源的輸出阻抗相匹配，則不可以通過信號源的面板指示來確定耦合到被測電路上的信號幅度，而要通過實(shí)測確定。
 
在相同類型的耳機(jī)插座中，工作頻率越高，工作電流越大，開關(guān)時間越短，或者額定電源電壓越高，則抗輻射能力越強(qiáng)。例如，用相同工藝和材料制作的微處理器電路，要求10V電源的電路比要求5V電源的電路抗輻射能力強(qiáng)，因?yàn)?0V電源有3V的噪聲容限，而5V電源只有1.5V的噪聲容限。

在不同類型的耳機(jī)插座中，半導(dǎo)體二極管的抗輻射能力優(yōu)于晶體管三極管，結(jié)型場效應(yīng)管的抗輻射能力優(yōu)于雙極晶體管，由分立器件構(gòu)成的電路的抗電離輻射能力優(yōu)于實(shí)現(xiàn)相同功能的單片集成電路，數(shù)字集成電路的抗中子輻射能力模擬集成電路。